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浅析两种可进步LED光效的芯片发光层结构设计环亚ag88

来源:http://www.zzsswlkj.com 责任编辑:环亚ag88 更新日期:2018-10-06 12:44

  浅析两种可进步LED光效的芯片发光层结构设计

   LDE的芯片结构规划是一项非常复杂的系统工程,其内容触及以进步注入功率和光效为意图电致发光结构规划、以进步学出光功率为意图的光引出结构规划和与光效密相关的电极规划等。

   跟着MOCVD外延成长技能和多量子阱结构的开展,人们在准确操控外延、掺杂浓度和削减位错等方面都取得了打破,ag官网平台处延片的内量子功率已有很大进步。像波长为625nm的A1InGap基LED,内量子功率已挨近极限,可达100%.A1InGap基LED的内量子功率虽远比A1InGap基LED的低,但也达40%~50%。

   我们知道,LED的外量子功率取决于外延资料的内量子功率和芯片的出光功率,进步LED发光功率的关健是进步芯片的外量子功率,这在很大程度上决于芯片的出光功率。为此HBLED和超HBLED要求规划新式芯片结构来进步器材的出光功率,进而进步发光功率。下面临进步LED发光功率的技能途径和开展情况作扼要介绍。

   优化芯片发光层能带结构

   规划不同的发光层结构,能够进步LED的光效。现在人们所选用的发光层结构主要有以下两种:

   一是双异质结(DH)

   异质结LED相对于同质结LED来说,其P区和N区有带隙不同的半导体组分。招聘网站现高薪招迪士尼员工骗局 130元置...环亚ag88。在异质结中,宽带隙资料叫势垒层,窄带隙资料叫势阱层。只要一个势垒层和势阱层的结为单异质结(SH),有两个势垒层和一个活性层(即载流子复合发光层)的结叫双异质结。双异质结的两个势垒层对注入的载流子起到限域效果,即经过第一个异质成果面分散进入活性层的载流子,会被第二个异质结界面阴挡在活性层中,致使现在HBLED能带结构一般都选用双异质结。

   二是量子阱结构

   活性层的变薄能够有效地进步辐射复合功率,并且能削减再吸收。可是,当活性层的厚度能够与晶体中电子的德布罗意波相比较进,载流子会因为量子限域而发作能谱的改动。这种特别的结构被称为量子阱(QW)。势阱中的载流子能带不再接连,而是取一系列的分立值。活性层既能够是单层,即单量子阱(SQW);也能够为多层,即多量子阱(MQW)结构。选用量子阱结构的活性层能够更薄,造成对载流子的进一步限域,更有利于功率的进步。现已发现,发光波长为565nm的A1InGap双异质结LED,当活性层厚度在0.15~0.75nm的规模内时,光效最高;超出这个规模时,光效则急剧下降,这是因为活性层太薄,简单引起载流子地道穿透到活性层之外;假如活性层太厚,载流子复合功率会下降。量子阱结构是现在HBLED广为选用的能带结构之一。

   下表列出了现在常用的高亮度LED所选用的发光层结构及其外量子功率

高亮度LED所选用的发光层结构及其外量子功率

  

   LED光效LED芯片发光层结构MOCVD A1GaAs

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